3UF 1200VDC方形无感吸收电容
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3UF 1200VDC方形无感吸收电容

介质材料： 有机薄膜 应用范围： 中和

外形： 方块状 功率特性： 中功率

频率特性： 低频 调节方式： 固定

引线类型： 同向引出线 允许偏差： ±10（%）  

耐压值： 1600（V）  等效串联电阻(ESR)： 0.2（mΩ）  

标称容量： 3（uF）  损耗： 0.01

额定电压： 1200（V）  绝缘电阻： 0.04（mΩ）  

温度系数： 105

PL-DTM IGBT功率模块保护电容器（直接安装）

3UF 1200VDC方形无感吸收电容

低等效串联电阻

低等效串联电感

可承受非常高的du/dt

额定电压: 700 to 3000 Vdc

额定电容量: 0.0047 - 5.6μF

执行标准 GB/T 17702.1 idt IEC 61071-1, GG/T 2693 idt IEC 60384-1

金属化聚丙烯膜无感卷绕而成

具有立式和卧式二种安装形式，引出端子直接连接于IGBT模块，最大限度减小回路电感量

具有低的ESR和高的dv/dt特性

可承受很大的峰-峰值电流IPP和高频有效值电流Irms

可提供满足各类IGBT/IGCT等电力电子功率器件所需的系列化产品

应用范围：高性价比，广泛应用于变频器、功率电源、节能电磁设备、电机驱动、牵引、混合动力车、逆变焊机、太阳能/风力发电，电磁感应加热设备等行业的“across-the-bus”功率线路设计的IGBT突波吸收.