供应FDV301N
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详细信息

FDV301N ： 场效应 功能 参数详解如下：

数据列表  ：  FDV301N
                                                                                              产品相片 ：   SOT-23-3
                                                                                          产品培训模块    ：    高压开关对权力处理产品变化通告    ：    模复合的的变动12/十二月/2007产品目录绘图    ：    SuperSOT-3, SOT-23
标准包装   ：   3,000

 类别     ：     分离式半导体产品 

 家庭     ：     FET - 单路 

 FET 型    ：    MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点   ：   逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C      ：            4 欧姆 @ 400mA, 4.5

漏极至源极电压(Vdss)   ：       25V

 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C     ：          220mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）    ：     1.06V @ 250μA 
闸电荷(Qg) @ Vgs         ：       0.7nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss)   ：   9.5pF @ 10V
功率 - 最大    ：     350mW
安装类型    ：    表面贴装 
封装/外壳   ：    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包装     ：     带卷 (TR)       
供应商设备封装      ：       SOT-23
其它名称 :   FDV301NTR
数字场效应管 ：     

 一般说明：

1.这个n-channel逻辑电平增强型场效应晶体管被生产使用飞兆半导体的所有权，高细胞密度，工艺工程师职位要求技术。

2.这个很高密度进程尤其剪裁最小化通态阻力。

3.这个装置已经是计划尤其给低电压应用作为一个复位为数字晶体管。

4.自从偏见各种电阻不需要，这个一n-channel场效应管能取代几不一样的数字晶体管，同不同偏置电阻价值。

特征：

1. 25各变量，0。22一个连续，0。5一个高峰。铁路发展策略(在)=5瓦特@气床=2。7各变量铁路发展策略(在)=4瓦特@气床=4。5各变量

2. 很低级栅极驱动需求允许直接操作3v年线路。气床(日)<1。06v。

3. gate-source齐纳为公共服务电子化重现性。>6kv人体模型

4.取代多种产蛋鸡对非蛋白氮数字晶体管同一工艺工程师职位要求场效应管。